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| 微波元件 |
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| 用GEMS对一个填充超材料的三端口微波元件进行仿真。其中一个端口作为激励，另外两个端口作为输出。GEMS对其S参数与元件内部场分布进行求解。 |
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| 仿真的基本程序如下： |
 | 绘制一个箱体，并用”shelling”指令对其加上外盖 | | 将其设置为PEC材料 | | 添加三个端口 | | 在箱体内部导入超材料，将其设置为有损材料 | | 在三个端口画三个矩形，将其中一个定义为激励端，另外两个定义为输出端 | | 用TE10模作为激励模式 | | 设置仿真区域和边界 | | 生成自适应网格 | | 定义收敛标准 | | 用计算机或集群对生成的project进行仿真 |
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| 仿真中基本设置如下： |
| 选项 | 设置 | 描述 | | 边界 | 用PML对三个端口变进行截断；PEC对剩下三边进行截断 | 考虑到密闭系统，这里使用了PEC边界 | | 激励 | 选定激励模式和激励端口 | TE10 模 | | 网格 | 非均匀共形网格 | 自适应网格 | | 输出结果 | S参数和元件内部的时域场分布 | 由于其高Q值特性，收敛要花较长时间 | | 仿真 | 计算机或计算机集群 | |
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微波滤波器模型 |  | | | TE10模磁场方向图 |  |
| 超材料填充 |  | | | 滤波器内部电场分布(1) |  |
| | TE10模电场方向图 |  | | | 滤波器内部电场分布(2) |  |
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滤波器内部电场分布(3) | 滤波器内部电场分布(4) |  |  |
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