快速入手教程 1-5 | 6-10 | 11-15 | 16-20 | 21-25 | 26-30 |
建模
 | 支持SAT，STEP，IGES，ProE，Catia（可选），Voxel或者DXF格式文件 |
| 如果模型里有无限薄PEC面，模型里面仿真物体的绘制顺序很重要 |
| 如果横截面不是很关键，尽量使用矩形形状 |
| 如果物体大小不重要，特别是对馈电结构，尽量将结构画大一点 |
| 如果地板无限大且厚度为0，而物体只在地板的一侧，可以用理想电边界（PEB）作为地 |
激励
| “集总端口”（包括外部阻抗）是对需要匹配加载的开放端口而言 |
| “波端口”是对已经通过匹配加载或开放边界进行了匹配的端口而言 |
| 矩形波导和圆波段都用“解析”“TE”或“TM”模进行激励 |
| 同轴电缆用“数值”“TEM”模进行激励 |
| “数值”“TE”或“TM”或“TEM”用于一般波导结构 |
| 同轴馈电模型在大多数情况下可以被简化为集总端口 |
| 集总端口要用到2-3个单元空间。如果馈线缝隙太大，可加入探针以减小缝隙 |
| 如果一个用共面波导CPW作为馈源的模型是对称结构，只需用“理想磁边界”对半个模型进行仿真。对半个CPW，用集总端口进行激励。对于非对称模型，可以对地板进行延长得到一个端口结构，再用集总端口对其进行激励 |
| 平面波源用来求解散射问题 |
| 通过设置平面波和边界得到的“高斯光束”源，有特殊用途 |
| PBC平面波只用于电磁带隙（EBG）或者频率选择表面（FSS）结构 |
| 自定义的场分布“平面源”，如特殊波形或者柱面波，可以用来作为特殊用途的激励源 |
边界
| “open boundary(add space)”用于对有精细尺寸结构的模型进行截断。其功能类似微波暗室中的吸波墙壁 |
| “Open Boundary(touched)”用于对无限大或者有一个端口已被匹配到无限大的结构进行截断。但是，我们只需考虑其仿真区域内的小部分，也就是说，“Open Boundary(touched)”是最佳匹配负载 |
| “PBC”用来对EBG，FSS和其他周期结构进行截断 |
| 集总端口输出S参数，阻抗和开端口的电压与电流 |
| 波端口输出S参数，阻抗和匹配端口的电压与电流 |
| 模式端口输出S参数，模式阻抗和波导端口的模式电压与电流 |
| 画一点，得到某点的场输出 |
| 画一条1-D的线段，得到电压输出 |
| 画一个2-D的面，得到电路、场或电流分布，或传输能量输出 |
| 画一个3-D的箱体，得到传输能量输出 |
| 画一个3D的体积，得到SAR，热能或者面电流输出 |
| 通过对惠更斯面的具体定义，可以得到远场、效率、MEG、ECC和RCS的输出 |
网格
| 如果“Lookup minSize”找不到合适的最小尺寸值，调整网格选项，再次查找。点击“Mesh”按钮生成自适应的网格剖分 |
| 在“minSize”盒中，将感兴趣的精细结构的半尺寸定义为最小网格单元尺寸，接下来点击”Mesh”按钮生成自适应的网格剖分 |
| 使用关键点，强迫网格经过模型中的特殊点位 |
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| 吸收材料设计与仿真 |
| 并行频域仿真器 |
| 金属必须为PEC，且没有厚度 |
| 介质层在水平方向必须无限大 |
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GEMS Quick Start Examples
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